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Solid-state Electronics

固態(tài)電子 SCIE

Solid-state Electronics

一般,3-6周 約9.2周審稿時(shí)間

4區(qū)中科院分區(qū)

Q3JCR分區(qū)

1.4影響因子

0038-1101

1879-2405

SOLID STATE ELECTRON

UNITED STATES

物理 - 工程:電子與電氣

1960

87

Monthly

English

175

0.05...

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期刊簡(jiǎn)介

固態(tài)電子(Solid-state Electronics)是一本由Elsevier Ltd出版的一本物理-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要報(bào)道物理-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐。本刊已入選來(lái)源期刊,該刊創(chuàng)刊于1960年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分區(qū)等級(jí):Q3,2023年發(fā)布的影響因子為1.4,CiteScore指數(shù)3,SJR指數(shù)0.348。本刊非開(kāi)放獲取期刊。

本期刊旨在將以下領(lǐng)域的新穎和原創(chuàng)工作的優(yōu)秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術(shù)在電子和光電子學(xué)中的應(yīng)用,包括理論和器件設(shè)計(jì);(2)器件的光學(xué)、電學(xué)和形態(tài)表征技術(shù)和參數(shù)提??;(3)半導(dǎo)體器件的制造以及與器件相關(guān)的材料的生長(zhǎng)、測(cè)量和評(píng)估;(4)亞微米和納米級(jí)微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測(cè)量和性能評(píng)估;(5)數(shù)值方法在固態(tài)器件和過(guò)程的建模和仿真中的應(yīng)用;(6)基于半導(dǎo)體和替代電子材料的納米級(jí)電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。

中科院分區(qū)信息

固態(tài)電子2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
固態(tài)電子2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
固態(tài)電子2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
固態(tài)電子2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
固態(tài)電子2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
固態(tài)電子2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
名詞解釋:

中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果。在中科院期刊分區(qū)表中,主要參考3年平均IF作為學(xué)術(shù)影響力,最終每個(gè)分區(qū)的期刊累積學(xué)術(shù)影響力是相同的,各區(qū)的期刊數(shù)量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分區(qū)信息

Solid-state Electronics(2023-2024年最新版數(shù)據(jù))
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352
26.6%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179
23.2%
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79
23.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354
26.41%
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179
25.98%
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79
32.28%
名詞解釋:

湯森路透每年出版一本《期刊引用報(bào)告》(Journal Citation Reports,簡(jiǎn)稱JCR)。JCR對(duì)86000多種SCI期刊的影響因子(Impact Factor)等指數(shù)加以統(tǒng)計(jì)。JCR將收錄期刊分為176個(gè)不同學(xué)科類別在JCR的Journal Ranking中,主要參考當(dāng)年IF,最終每個(gè)分區(qū)的期刊數(shù)量是均分的。

期刊數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

1、Cite Score(2024年最新版)
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797
47%
大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434
43%
大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317
42%
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284
40%
名詞解釋:

CiteScore:該指標(biāo)由Elsevier于2016年提出,指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScorer的計(jì)算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的計(jì)算方法是該期刊在2019年、2020年和2021年發(fā)表的文章在2022年獲得的被引次數(shù),除以該期刊2019年、2020年和2021發(fā)表并收錄于Scopus中的文章數(shù)量總和。

2、綜合數(shù)據(jù)
3、本刊綜合數(shù)據(jù)對(duì)比及走勢(shì)

文章引用數(shù)據(jù)

文章名稱 引用次數(shù)
  • Lightweight flexible indium-free oxide T...

    21
  • The photovoltaic impact of atomic layer ...

    12
  • Current-voltage analytical model and mul...

    11
  • Low-voltage electric-double-layer MoS2 t...

    11
  • Effect of defect creation and migration ...

    11
  • Characterization and modeling of 28-nm F...

    10
  • Improve the performance of CZTSSe solar ...

    10
  • A review on terahertz photogalvanic spec...

    8
  • Multi-layer WSe2 field effect transistor...

    8
  • SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heter...

    7

期刊被引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    384
  • SOLID STATE ELECTRON

    207
  • J APPL PHYS

    199
  • JPN J APPL PHYS

    150
  • SEMICOND SCI TECH

    123
  • J MATER SCI-MATER EL

    111
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    105
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    96
  • APPL PHYS LETT

    93
  • MATER RES EXPRESS

    84

期刊引用數(shù)據(jù)

期刊名稱 引用次數(shù)
  • IEEE T ELECTRON DEV

    431
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    257
  • APPL PHYS LETT

    248
  • SOLID STATE ELECTRON

    207
  • J APPL PHYS

    136
  • PHYS REV B

    106
  • NATURE

    58
  • SEMICOND SCI TECH

    52
  • PHYS REV LETT

    47
  • THIN SOLID FILMS

    43

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文數(shù)據(jù)

國(guó)家/地區(qū)名 數(shù)量
  • South Korea

    131
  • CHINA MAINLAND

    104
  • France

    76
  • USA

    53
  • GERMANY (FED REP GER)

    36
  • India

    24
  • Spain

    21
  • England

    17
  • Belgium

    16
  • Japan

    16

機(jī)構(gòu)發(fā)文數(shù)據(jù)

機(jī)構(gòu)名 數(shù)量
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

    55
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES

    38
  • UNIVERSITE DE SAVOIE

    33
  • CEA

    32
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)

    26
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    23
  • KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY

    17
  • STMICROELECTRONICS

    16
  • POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOG...

    12
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    11

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