半導(dǎo)體光電雜志論文格式要求：
①關(guān)鍵詞3-8個，盡量采用標(biāo)準(zhǔn)主題詞，若主題詞表中無該關(guān)鍵詞的可使用自由詞。
②來稿請注明作者、單位、職稱或職務(wù)、聯(lián)系方式及郵寄地址。合著稿件署名時須征得其他作者同意，確定先后次序。
③對擬錄用的稿件，本刊將發(fā)給作者用稿通知書；對不予錄用的稿件，不再另行通知。稿件自寄出后，三個月內(nèi)未接到用稿通知書者，可自行處理，三個月內(nèi)請勿一稿多投。
④屬基金資助項目文章應(yīng)注明論文基金來源及基金項目編號。
⑤作者不屬同一單位時，應(yīng)在作者姓名右上角加注不同的阿拉伯?dāng)?shù)字。
半導(dǎo)體光電雜志往年文章平均引文率
半導(dǎo)體光電雜志往年文章摘錄
基于星形金納米顆粒修飾的81°傾斜光纖光柵生物傳感器
基于誤碼統(tǒng)計的邊沿觸發(fā)器建立時間測量方法
基于熱平衡機(jī)理的質(zhì)子交換爐溫控系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型
電場驅(qū)動HgCdTe/CdTe量子阱拓?fù)湎嘧円鸬墓馕赵鰪?qiáng)研究
共摻雜LiGa5O8∶Cr3＋長余輝材料的制備及發(fā)光特性
選擇區(qū)域外延生長中掩模介質(zhì)表面Ga原子的遷移特性
CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽電池晶粒尺寸及光電性能調(diào)控
基于CMOS工藝的抗光噪聲神經(jīng)微電極
全透明低回滯s-SWCNT/AgNW薄膜晶體管的可控制備
膜厚對泡沫鎳負(fù)載TiO2納米薄膜附著度和光電響應(yīng)的影響
