半導(dǎo)體信息雜志論文格式要求:
①參考文獻(xiàn)的序號左頂格,并用數(shù)字加方括號表示,與正文中的引文標(biāo)示一致,如[1],[2]……。每一條參考文獻(xiàn)著錄均以“.”結(jié)束。
②摘要應(yīng)包括目的、方法、結(jié)果和結(jié)論四個部分,其中中文摘要約300字,英文摘要約600-800字。關(guān)鍵詞2至5個(中英文)。
③第一作者及通訊作者(一般為導(dǎo)師)簡介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向)。
④如論文屬于基金項(xiàng)目,需注明基金項(xiàng)目類別、項(xiàng)目名稱及編號,多個項(xiàng)目間以“、”分隔。格式如下:基金名稱“項(xiàng)目名稱”(項(xiàng)目編號)。
⑤所有來稿均要求為原創(chuàng)首發(fā)作品,拒絕一稿多投。嚴(yán)禁抄襲,一旦發(fā)現(xiàn)抄襲行為,本社將嚴(yán)肅處理。
半導(dǎo)體信息雜志往年文章平均引文率
半導(dǎo)體信息雜志往年文章摘錄
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雷神公司宣布在新生產(chǎn)的GEM-T攔截器中使用GaN發(fā)射器芯片
光電化學(xué)蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽
高電子遷移率的磁感應(yīng)氮化鎵晶體管
集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模塊
力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
提高車載充電器效率 英飛凌推首款車用碳化硅產(chǎn)品
英飛凌推出新型950V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件
埃賦隆半導(dǎo)體推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管
Integra公司推出用于敵我識別器航空電子設(shè)備的射頻和微波晶體管